| 主权项 |
1.一种薄膜之制造方法,系在被蒸镀面上,藉真空蒸镀以制造含有第1薄膜材料与第2薄膜材料之薄膜;其特征为:藉由电子束加热法使第1薄膜材料加热蒸发,藉由电阻加热法使第2薄膜材料加热蒸发,并使第1薄膜材料加热用之电子束通过第2薄膜材料之蒸气流中。2.如申请专利范围第1项之薄膜之制造方法,其中,对被蒸镀面上之薄膜形成部分导入反应性气体。3.如申请专利范围第1项之薄膜之制造方法,其中,对被蒸镀面施加偏压。4.如申请专利范围第1项之薄膜之制造方法,其中,第1薄膜材料为钴,第2薄膜材料为锂。5.一种薄膜之制造装置,其特征在于,具备:电子束蒸发源,其配置成面向被蒸镀面,用以保持第1薄膜材料;电子束源,系放出将第1薄膜材料以电子束加热法进行加热蒸发时所需之电子束;以及电阻加热蒸发源,其配置成面向被蒸镀面,用以将第2薄膜材料以电阻加热法进行加热蒸发;电子束蒸发源、电子束源与电阻加热蒸发源系以电子束可通过第2薄膜材料之蒸气流中的方式来配置。6.如申请专利范围第5项之薄膜之制造装置,其中,系依照电子束蒸发源、电阻加热蒸发源及电子束源的顺序做配置。7.如申请专利范围第5项之薄膜之制造装置,其中,系进一步具备喷嘴,以对被蒸镀面上之薄膜形成部分导入反应性气体。8.如申请专利范围第5项之薄膜之制造装置,其中,系进一步具备偏压装置,以对被蒸镀面施加偏压。9.如申请专利范围第5项之薄膜之制造装置,其中,电子束蒸发源、电子束源及电阻加热蒸发源系大致配置在同一平面上。图式简单说明:图1表示本发明之薄膜制造装置之一实施形态的示意构成图。图2表示比较例之薄膜制造装置的示意构成图。 |
