| 摘要 |
本发明提供一种双极性电晶体，其具有整合于一标准互补金氧半导体(CMOS)浅壕沟隔离区的一壕沟(4,44)中的一降低之集极串联电阻。该双极性电晶体包括以一制造步骤所制作的一集极区(6,34)，因此具有一较短之传导路径和一降低之集极串联电阻，进而改良该双极性电晶体的高频效能。该双极性电晶体进一步包括一基极区(8,22,38)，其具有位在壕沟(4,44)底部上之集极区(6,34)其一选定部分的一第一部分，及在基极区(8,22,38)之第一部分其一选定部分上的一射极区(10,24,39)。一基极接头(11,26,51)在一绝缘区(2,42)上之基极区(8,22,38)的一第二部分电子接触基极区(8,22,38)。集极区(6,34)在一隆起(5,45)之顶部与一集极接头(13,25,50)电子接触。 |
