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发明名称 VERFAHREN ZUM VERMEIDEN VON KUPFER-KONTAMINATION DER SEITENFLÄCHEN EINES KONTAKTLOCHES ODER EINER DOPPEL-DAMASZENEN-STRUKTUR
摘要
申请公布号 AT344534(T) 申请公布日期 2006.11.15
申请号 AT20000640011T 申请日期 2000.11.13
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PTE LTD. 发明人 GUPTA, SUBHASH;HO, KWOK KEUNG PAUL;SHOU, MEI-SHENG;CHOOI, SIMON
分类号 H01L21/302;H01L21/304;H01L21/306;H01L21/3065;H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/52;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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