| 发明名称 |
VERFAHREN ZUM ÄTZEN VON POLYSILIZIUM-GATESTAPELN AUF ANGEHOBENEN FLACHEN GRABENISOLATIONEN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE60123424(D1) |
申请公布日期 |
2006.11.09 |
| 申请号 |
DE20016023424 |
申请日期 |
2001.06.19 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
LEE, HEON;PARK, SIBUMDANJI HANSHIN |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/28;H01L21/316;H01L21/3213;H01L21/8234 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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