| 发明名称 | 具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件 | ||
| 摘要 | 一种用于电力电子领域的具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，它在同一芯片上集成有半导体三极管和与其反并联的半导体二极管，其特征在于：在二极管与三极管之间设有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结结构，采用二极管铝电极延伸到二极管外侧部分与高阻n-衬底间形成延伸肖特基结，可以减少注入少数载流子的浓度，因而提高开关速度。本发明显著提高了功率集成器件集成二极管的开关速度，并且制作工艺简单、成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN1284240C | 申请公布日期 | 2006.11.08 |
| 申请号 | CN02124128.7 | 申请日期 | 1999.07.27 |
| 申请人 | 北京工业大学 | 发明人 | 亢宝位;程序;吴郁 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01) | 主分类号 | H01L27/02(2006.01) |
| 代理机构 | 北京思海天达知识产权代理有限公司 | 代理人 | 张慧 |
| 主权项 | 1、一种具有延伸肖特基结的高速高压功率集成器件，包括有三极管(1)及位于同一块半导体芯片上的二极管(2)，其中二极管(2)位于三极管(1)的中间，或三极管(1)的外边，其特征在于：在二极管(2)与三极管(1)之间设计有用来提高二极管开关速度的延伸肖特基结(3)。 | ||
| 地址 | 100022北京市朝阳区平乐园100号 | ||