| 发明名称 |
Verfahren zur Epitaxie auf Silizium und nach dem Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10241973(B4) |
申请公布日期 |
2006.11.02 |
| 申请号 |
DE20021041973 |
申请日期 |
2002.09.10 |
| 申请人 |
INNOVATIONSAGENTUR GES.M.B.H.;RICHTER, KLAUS |
发明人 |
RICHTER, KLAUS |
| 分类号 |
H01L21/283;C30B25/02;C30B29/06;C30B29/52;H01L21/285;H01L29/26 |
主分类号 |
H01L21/283 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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