| 发明名称 | 具有自行对准导线的结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有自行对准导线的结构及其制造方法，首先，提供一基底，此基底中已形成多个隔离结构，且隔离结构突出于基底表面，而相邻隔离结构间定义出一有源区，此有源区中已形成多个元件。接着，于基底上形成一导体材料层以覆盖隔离结构与有源区。之后，以隔离结构为移除终止层，移除部分导体材料层至暴露出隔离结构表面，而在有源区上自行形成多个导线以电连接元件。当元件的尺寸往下限缩时，自行对准导线的尺寸将不会受到光刻工艺的设计定律的限制，而可以有效地电连接半导体元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1855421A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200510065596.4 | 申请日期 | 2005.04.18 |
| 申请人 | 力晶半导体股份有限公司 | 发明人 | 许汉杰;张骕远;黄明山 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/3205(2006.01);H01L21/76(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L29/78(2006.01);H01L27/105(2006.01);H01L27/088(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1、一种自行对准导线的制造方法，包括：提供一基底，该基底中已形成多个隔离结构，且该些隔离结构突出于该基底表面，而相邻该些隔离结构间定义出一有源区，该有源区中已形成多个元件；于该基底上形成一导体材料层以覆盖该些隔离结构与该有源区；以及以该些隔离结构为移除终止层，移除部分该导体材料层至暴露出该些隔离结构表面，而在该有源区上形成多个导线以电连接该些元件。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹市 | ||