发明名称 集成电路记忆体及其操作方法
摘要 一种电荷捕获记忆体元件,其采用场诱发(fieldinduced)的反转层以取代源极和汲极的掺质。电荷捕获记忆体元件包含多个记忆胞,其适用于储存两位元,其中一位元在电荷捕获结构的左侧,而另一位元在电荷捕获结构的右侧。使用负闸极电压FN穿隧将可诱发一正阀限电压擦除状态,以在一正电压下建立一电荷平衡条件。本发明亦提供了低电流、源极侧及热电子注入的编程方法。
申请公布号 CN1855510A 申请公布日期 2006.11.01
申请号 CN200510109155.X 申请日期 2005.10.18
申请人 旺宏电子股份有限公司 发明人 龙翔澜
分类号 H01L27/115(2006.01);H01L29/78(2006.01);G11C16/02(2006.01) 主分类号 H01L27/115(2006.01)
代理机构 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人 寿宁;张华辉
主权项 1、一种集成电路记忆体,包括:一半导体本体,具有一第一导电型;多数条字元线,配置于该半导体本体上;一记忆阵列,配置在该些字元线和该半导体本体之间,而该记忆阵列包括至少一个区段、多个记忆胞与多个电荷捕获结构,其中该些记忆胞包括各自的多数个控制闸极,而该些控制闸极乃是与该些字元线中的多条字元线接触,且该些电荷捕获结构乃是配设在该些控制闸极和该半导体本体之间;多数条电流控制线,垂直于该些字元线而排列,并配置在该记忆阵列的该些记忆胞的多条列之间,且配置于该半导体本体上,并被排列为诱发在该半导体本体内的多数条反转位元线,以回应施加在该些电流控制线上的偏压电压;以及一控制电路,耦接于该些电流控制线、该些字元线和该半导体本体,而该控制电路施加多个偏压措施以便于藉由对储存于记忆胞中的电荷而进行编程和擦除资料以及读取已储存的资料,其中该些偏压措施包括:用于编程该记忆阵列中的一个特定的记忆胞的左侧的一位元资料的该偏压措施,藉由该些反转位元线而在电荷捕获结构的左侧诱发源极侧热电子注入,以建立用于读取左侧的一高阀限状态;用于编程该记忆阵列中的该特定的记忆胞的右侧的一位元资料的该偏压措施,藉由该些反转位元线而在电荷捕获结构的右侧诱发源极侧热电子注入,以建立用于读取右侧的一高阀限状态;用于擦除至少一个区段中的资料的该偏压措施,包括诱发电荷平衡并藉由在耦接于该区段中的该些记忆胞的至少一字元线和该半导体本体之间施加足够的一负电压,以在该电荷捕获结构和该半导体本体之间诱发FN穿隧,而该半导体本体藉由该控制闸极和该电荷捕获结构之间的FN穿隧而达到平衡,直到在该区段中的该些记忆胞中建立一个目标低阀限电压为止;以及用于读取该记忆阵列中的一特定记忆胞的左侧和右侧的一的一位元资料的该偏压措施,包括诱发在该特定记忆胞的左侧和右侧上的相对导通的反转位元线并施加一读取偏压电压给耦接于该特定记忆胞的控制闸极的字元线。
地址 中国台湾