非挥发性存储器及其制造方法以及其操作方法

摘要

一种非挥发性存储器。井区配置在基底中。浅井区配置在井区中。至少二栅极堆栈结构配置在基底上。漏极区配置于栅极堆栈结构的外侧边的浅井区中。辅助栅极层配置于此二栅极堆栈结构之间的基底上，且向下延伸穿过部分的基底。栅介电层配置于辅助栅极层与基底之间以及辅助栅极层与栅极堆栈结构之间。导电插塞配置在基底上，且向下延伸连接浅井区以及位于其中的漏极区。

主权项

1、一种非挥发性存储器，包括：一基底；一第一导电型井区，配置在该基底中；一第二导电型浅井区，配置在该第一导电型井区中；一对栅极堆栈结构，配置在该基底上，其中各该栅极堆栈结构至少包括一浮置栅极层以及位于该浮置栅极层上的一控制栅极层；二第一导电型漏极区，分别配置于该对栅极堆栈结构的外侧边的该第二导电型浅井区中；一辅助栅极层，配置于该二栅极堆栈结构之间的该基底上，且向下延伸穿过部分的该基底，而使该辅助栅极层的底部低于该第二导电型浅井区的底部；一栅介电层，至少配置于该辅助栅极层与该基底之间以及该辅助栅极层与各该栅极堆栈结构之间；以及至少二导电插塞，配置在该基底上，且各该导电插塞向下延伸连接该第二导电型浅井区以及位于其中的该漏极区。