| 发明名称 | 用于制造能够改善击穿电压特性的半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 在制造MOS晶体管的方法中，在半导体衬底内形成MOS晶体管隔离层，以围绕用于在该半导体衬底中形成该MOS晶体管的区域。然后，将第一杂质引入到该半导体衬底的该区域中，以调节该MOS晶体管的阈值电压。而且，将第二杂质仅引入到与该MOS晶体管隔离层相邻的上述区域的周边的一部分中，其中在所述部分上方将形成有所述MOS晶体管的栅电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1855395A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610074610.1 | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 井上智春 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/8238(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 梁晓广;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种制造MOS晶体管的方法，其包括：在半导体衬底内形成MOS晶体管隔离层，以围绕用于在所述半导体衬底中形成所述MOS晶体管的区域；将第一杂质引入到所述半导体衬底的所述区域中，以调节所述MOS晶体管的阈值电压；以及将第二杂质仅引入到其上方将形成有所述MOS晶体管的栅电极的、与所述MOS晶体管隔离层相邻的所述区域的周边的一部分中。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||