具有减小的钉扎层势垒的像素传感器单元及其形成方法

摘要

本发明公开了一种像素传感度单元结构及其制造方法。像素单元包括与传输栅极结构的第一侧相邻形成的掺杂层，用于耦合收集阱区和沟道区。减小了由钉扎层导致的对于电荷传输的势垒干扰。

主权项

1、一种像素传感器单元，包括：衬底，包括形成于所述衬底上的栅极结构；第一导电型的收集阱区，形成于与所述栅极结构的第一侧相邻的所述衬底的表面下面；第二导电型的钉扎层，形成于所述收集阱层的顶上，且在与所述第一侧相邻的所述衬底的表面；第一导电型的栅极扩散区，与所述栅极结构的第二侧相邻形成，所述栅极结构形成沟道区，所述沟道区使得电荷在所述收集阱区和所述栅极扩散区之间传输；以及掺杂层，与所述栅极结构的所述第一侧相邻形成，用于耦合所述收集阱区和所述沟道区来减小由于所述顶扎层导致的对于电荷传输势垒干扰。