非挥发性存储器的制造方法

摘要

一种非挥发性存储器的制造方法，首先提供一基底，于其上形成多个第一存储单元，各第一存储单元之间具有间隙。之后，于第一存储单元侧壁形成绝缘间隙壁。接着，于基底上形成复合介电层，然后再形成掺杂多晶硅层以填满各第一存储单元间的间隙。继而，移除部分掺杂多晶硅层，以形成沟槽。接下来，于基底上形成填满沟槽的金属层。之后，移除部分金属层，以形成栅极，栅极与复合介电层构成第二存储单元。第二存储单元与第一存储单元构成一存储单元串行。之后，再于存储单元串行两侧的基底中形成源极区与漏极区。

主权项

1、一种非挥发性存储器的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成多个第一存储单元，各该些第一存储单元彼此之间具有一间隙，各该些第一存储单元由该基底起依序包括一第一复合介电层、一第一栅极与一顶盖层，该第一复合介电层包括一第一底介电层、一第一电荷陷入层与一第一顶介电层；于该些第一存储单元的侧壁形成多个绝缘间隙壁；于该基底上形成一第二复合介电层，该第二复合介电层包括一第二底介电层、一第二电荷陷入层与一第二顶介电层；于该基底上形成一掺杂多晶硅层，该掺杂多晶硅层填满该些第一存储单元之间的该些间隙；移除部分该掺杂多晶硅层，使该掺杂多晶硅层的表面至少低于该顶盖层表面，而于该些第一存储单元之间形成多个沟槽；于该基底上形成填满该些沟槽的一金属层；移除部分该金属层，直到暴露出该第二复合介电层表面，该金属层与该掺杂多晶硅层构成多个第二栅极，该些第二栅极与该第二复合介电层构成多个第二存储单元，该些第二存储单元与该些第一存储单元构成一存储单元串行；以及于该存储单元串行两侧的该基底中形成一源极区与一漏极区。