发明名称 |
铋的同质纳米异质结及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种铋的同质纳米异质结及其制备方法。异质结为铋纳米线沿轴向直径呈两级阶梯式,其粗部为70~100nm,细部为20~50nm;方法为:1)将铝片置于浓度为0.1~0.5摩尔/升草酸溶液中,以直流30~50V阳极氧化3~5小时,再将其于由3~7wt%磷酸和1.3~2.3wt%铬酸配成的混合液中溶去氧化膜,之后,于前述同样条件再次氧化,取出后置于0.01~0.3摩尔/升的磷酸溶液中20~30分钟,然后,再于同样条件第三次氧化,得多孔模板;2)将多孔模板置于由五水硝酸铋、氢氧化钾、甘油、酒石酸和水配成的电沉积溶液中,加以直流-25~-35毫伏电压沉积20~40分钟;3)将含铋的多孔模板置于氢氧化钠溶液中溶去模板,制得铋的同质纳米异质结。它的工艺简单,易于工业化生产。 |
申请公布号 |
CN1854062A |
申请公布日期 |
2006.11.01 |
申请号 |
CN200510039253.0 |
申请日期 |
2005.04.29 |
申请人 |
中国科学院合肥物质科学研究院 |
发明人 |
田永涛;孟国文;安小红;郝玉峰;魏青;杨大驰;韩方明 |
分类号 |
B82B1/00(2006.01);B82B3/00(2006.01);C22B30/06(2006.01) |
主分类号 |
B82B1/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
1、一种铋的同质纳米异质结,包括铋纳米线,其特征在于所说铋纳米线沿轴向的直径为两级阶梯式,所说两级阶梯式的直径分别为粗的部分直径为70~100nm,细的部分直径为20~50nm。 |
地址 |
230031安徽省合肥市1110信箱 |