| 发明名称 | 具有附加ESD注入的横向双极晶体管 | ||
| 摘要 | 半导体器件(10)包括第一导电类型(例如p型)的半导体体区(12)。第二导电类型(例如n型)的第一掺杂区域(14)布置在半导体体区(12)的上表面。第二导电类型的第二掺杂区域(16)布置在半导体体区(12)的上表面并通过隔离区域(18)与第一掺杂区域(14)分离。第一接触(26)位于第一掺杂区域(14)之上并与之电耦合，第二接触(28)位于第二掺杂区域(16)之上并与之电耦合。第一导电类型的第三掺杂区域(32)布置在第一掺杂区域(14)之下的半导体体区(12)中。 | ||
| 申请公布号 | CN1855532A | 申请公布日期 | 2006.11.01 |
| 申请号 | CN200610068320.6 | 申请日期 | 2006.03.29 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份公司 | 发明人 | J·施奈德;M·温德尔 |
| 分类号 | H01L29/735(2006.01);H01L23/60(2006.01);H01L21/331(2006.01) | 主分类号 | H01L29/735(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘红;梁永 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体体区；第二导电类型的第一掺杂区域，布置在半导体体区的上表面，第二导电类型不同于第一导电类型；第二导电类型的第二掺杂区域，布置在半导体体区的上表面；隔离区域，布置在第一掺杂区域和第二掺杂区域之间的半导体体区中；第一接触，位于第一掺杂区域之上并与之电耦合；第二接触，位于第二掺杂区域之上并与之电耦合；和第一导电类型的第三掺杂区域，布置在第一掺杂区域之下的半导体体区内。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||