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发明名称 EPITAXIAL ALUMINIUM-GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
摘要
申请公布号 KR100639763(B1) 申请公布日期 2006.10.30
申请号 KR20017006606 申请日期 2001.05.26
申请人 发明人
分类号 H01L21/86 主分类号 H01L21/86
代理机构 代理人
主权项
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