可避免锁死现象的静电放电装置

摘要

本实用新型是有关于一种可避免锁死现象的静电放电装置，包括一P型基板、一N型井、一第一N+型掺杂区、一第一P+型掺杂区一第二N+型掺杂区、一第二P+型掺杂区、一第三N+型掺杂区、一第三P+型掺杂区、一第一电极以及一第二电极。该N型井是形成于该P型基板中。该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区均形成于该N型井中并相互以一第三场氧化层隔离。该第二N+型掺杂区是形成于该第一P+型掺杂区与一第一场氧化层之间。该第二N+型掺杂区是与该第一P+型掺杂区相邻接。当一电源电压未供应至该静电放电装置时，其具有等效硅控整流器(SCR)结构；当该电源电压供应至该静电放电装置时，其具有等效PN二极管结构，因此可以避免静电放电装置的锁死现象。

主权项

1.一种可避免锁死的静电放电装置，其特征在于其包括：一P型基板；一N型井，形成于该P型基板中；一第一N+型掺杂区，形成于该N型井中；一第一P+型掺杂区，形成于该N型井中；一第二N+型掺杂区，形成于该第一P+型掺杂区与一第一场氧化层之间；一第三N+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第三N+型掺杂区与该N型井不相接触；一第二P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第二P+型掺杂区与该N型井不相接触；一第一电极，其经由一第一电性导体连接该第二P+型掺杂区与该第三N+型掺杂区；一第二电极，其经由一第二电性导体连接该第一N+型掺杂区与该第一P+型掺杂区；以及一第三P+型掺杂区，形成于该P型基板中以及该N型井外，其中该第三P+型掺杂区是以该第一场氧化层与该第二N+型掺杂区隔开，其中当该静电放电装置于未供应电源状态下，该第三P+型掺杂区是为浮接状态，当该静电放电装置于电源供应状态下，该第三P+型掺杂区是连接至一最低电位。