| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 提供一种包括具有MIM结构的电容器的半导体器件，通过其来提高器件的尺寸精度，并且提供稳定的电容值。半导体器件(100)包括：半导体衬底(102)；形成有MIM电容器的电容器形成区(130)，其中MIM电容器具有形成在半导体衬底(102)上的绝缘夹层(104)、第一电极(110)以及第二电极(112)，并且第一电极(110)和第二电极(112)通过绝缘夹层(104)彼此面对地排列；以及包括多个屏蔽电极(114)的屏蔽区(132)，其中多个屏蔽电极(114)形成在电容器形成区(130)的外边缘，并且同时在与半导体衬底(102)上的MIM电容器的层相同的层中其被设置在预定的电位，并且将电容器形成区(130)从其它区屏蔽开。 | ||
| 申请公布号 | CN1851921A | 申请公布日期 | 2006.10.25 |
| 申请号 | CN200610074615.4 | 申请日期 | 2006.04.20 |
| 申请人 | 恩益禧电子股份有限公司 | 发明人 | 菊田邦子;富留宫正之;山本良太;中山诚 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 孙志湧;陆锦华 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；电容器形成区，其中形成有MIM电容器，所述MIM电容器包括形成在所述半导体衬底上的绝缘膜、第一电极以及第二电极，所述第一电极和所述第二电极彼此面对地排列，其间插有所述绝缘膜；以及屏蔽区，其形成在所述电容器形成区的外边缘以围绕所述电容器形成区，用于将所述电容器形成区与其他区屏蔽开，所述屏蔽区包括在形成有所述MIM电容器的所述第一电极和所述第二电极的全部(一个或多个)层中形成在所述半导体衬底上的围绕所述第一电极和所述第二电极的多个屏蔽电极，所述多个屏蔽电极的每一个被设置在预定电位。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||