纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法

摘要

本发明公开的纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法，步骤如下：1)把衬底表面清洗干净放到气相生长装置的反应室，反应室真空度至少抽到10^－3 Pa；2)向反应室输入保护气体，加热衬底并控制其温度在300－1100℃，调节反应室压强到0.1－10Pa，在反应室中产生等离子体；3)控制衬底偏压在0－250V，然后依次向反应室输入氮源，氯元素源和硼源，进行薄膜生长。本发明工艺、设备简单，原料易得，所制备的纳米晶立方氮化硼薄膜纯度高、残留压应力低，晶粒尺度小于50纳米，表面粗糙度低、硬度高，适用于制备加工铁基合金的刀具和磨具等，也可以用在光学元件的保护膜，高温电子器件等领域。

主权项

1.纳米晶立方氮化硼薄膜的制备方法，其特征是包括以下步骤：1)把衬底表面清洗干净后放入到气相生长装置的反应室，反应室的真空度至少抽到10-3Pa；2)向反应室输入保护气体，加热衬底并控制其温度在300-1100℃范围内，调节反应室压强到0.1-10Pa，在反应室中产生等离子体；3)控制衬底偏压在0--250V范围内，然后依次向反应室输入氮源，氯元素源和硼源，进行薄膜生长，控制氮源流量在0.2-10sccm，氯元素源流量在1-10sccm，硼源流量在0.2-12sccm。