| 主权项 |
1.一种制造单晶质或多晶质材料于基板上之方法,该方法包含:沉积自行组装单层(SAM)于基板上;沉积材料层于SAM上,以及将该材料层结晶,因而将材料层结晶包含将基板退火;其中退火在温度低于基板应变点下实施。2.依据申请专利范围第1项之方法,其中SAM材料由分子所构成,该分子大小以及间距与材料晶格之大小以及间距相匹配。3.依据申请专利范围第1项之方法,其中多晶质材料为多晶质矽。4.依据申请专利范围第1项之方法,其中晶质材料为单晶质矽。5.依据申请专利范围第1项之方法,其中SAM层由化合物R-(CH2)N-Si-R'3所构成,以及R'基在提供SAM层于基板之过程中被分裂。6.依据申请专利范围第1项之方法,其中SAM层由化合物R-(CH2)N-Si-R'3所构成,以及R'基在沉积SAM层于基板之过程中被分裂。7.依据申请专利范围第1项之方法,其中晶质材料为半导体。8.依据申请专利范围第7项之方法,其中半导体由矽,锗以及矽-锗选取出。9.依据申请专利范围第7项之方法,其中基板为半导体之氧化物。图式简单说明:第一图为依据本发明范例性实施例之LCD显示器的断面图。第二图A-E显示出依据本发明范例性实施例形成晶质结构于玻璃基板上处理过程之断面图。第三图为依据本发明范例性实施例形成晶质结构于玻璃基板上处理过程之流程图。 |
