发明名称 物理气相沉积设备及其电极及其沉积环
摘要 一种物理气相沉积设备及其电极及其沉积环。该沉积环具有一沉积环本体、一沟槽以及一凸状结构。沉积环本体呈平板环状,并具有一第一表面。沟槽以及凸状结构均呈环状,形成于第一表面之上,凸状结构邻接沟槽,并靠近该沉积环本体的外侧。沟槽具有一第一侧壁、一第二侧壁以及一沟槽底部。第一侧壁的曲率半径大于第二侧壁的曲率半径。第二侧壁为完整连续的环状壁面。该沟槽底部位于第一侧壁以及第二侧壁之间。第一侧壁与沟槽底部之间并有一第一夹角,第一夹角介于65度至120度之间,较佳为90度。沟槽的深度介于1.2毫米至3毫米之间,较佳为2毫米。本发明可有效避免金属沉积物形成于晶圆背面,并可避免沟槽侧壁缺口位置的金属沉积。
申请公布号 CN1847446A 申请公布日期 2006.10.18
申请号 CN200510093905.9 申请日期 2005.08.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 郭裕元;戴硕彦;蔡宙庭;莫明德;郑国贤;郑冠桦
分类号 C23C14/24(2006.01) 主分类号 C23C14/24(2006.01)
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所 代理人 刘新宇
主权项 1、一种沉积环,具有:一沉积环本体,呈平板环状,具有一第一表面;以及一沟槽,该沟槽呈环状,形成于该第一表面之上,并靠近该沉积环本体的内侧,其中,该沟槽的深度介于1.2毫米与3毫米之间。
地址 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号