发明名称 | 物理气相沉积设备及其电极及其沉积环 | ||
摘要 | 一种物理气相沉积设备及其电极及其沉积环。该沉积环具有一沉积环本体、一沟槽以及一凸状结构。沉积环本体呈平板环状,并具有一第一表面。沟槽以及凸状结构均呈环状,形成于第一表面之上,凸状结构邻接沟槽,并靠近该沉积环本体的外侧。沟槽具有一第一侧壁、一第二侧壁以及一沟槽底部。第一侧壁的曲率半径大于第二侧壁的曲率半径。第二侧壁为完整连续的环状壁面。该沟槽底部位于第一侧壁以及第二侧壁之间。第一侧壁与沟槽底部之间并有一第一夹角,第一夹角介于65度至120度之间,较佳为90度。沟槽的深度介于1.2毫米至3毫米之间,较佳为2毫米。本发明可有效避免金属沉积物形成于晶圆背面,并可避免沟槽侧壁缺口位置的金属沉积。 | ||
申请公布号 | CN1847446A | 申请公布日期 | 2006.10.18 |
申请号 | CN200510093905.9 | 申请日期 | 2005.08.31 |
申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 郭裕元;戴硕彦;蔡宙庭;莫明德;郑国贤;郑冠桦 |
分类号 | C23C14/24(2006.01) | 主分类号 | C23C14/24(2006.01) |
代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人 | 刘新宇 |
主权项 | 1、一种沉积环,具有:一沉积环本体,呈平板环状,具有一第一表面;以及一沟槽,该沟槽呈环状,形成于该第一表面之上,并靠近该沉积环本体的内侧,其中,该沟槽的深度介于1.2毫米与3毫米之间。 | ||
地址 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 |