包含功率二极体之积体电路

摘要

本发明提供一种制造一包含一功率二极体之半导体积体电路之方法，其包含提供第一传导性类型之一半导体基板，在该基板之一第一区域中制造一诸如一CMOS(补金氧半导体)晶体电路之积体电路，及在该半导体基板之一第二区域中制造一功率二极体。在该第一区域与该第二区域之间形成介电材料，藉此提供在该第一区域中之该积体电路与该第二区域之该功率二极体之间的电绝缘。该功率二极体可包括均藉由该二极体之一电极连接在一起之复数个MOS(金氧半导体)极／汲极元件及相关闸极元件，且该第二区域中之一半导体层可充当该功率二极体之另一源极／汲极。