非挥发性记忆单元,具有非挥发性记忆单元之记忆体阵列以及操作记忆单元与记忆体阵列之方法

摘要

本发明揭示记忆单元连同其阵列及操作方法，该等记忆单元包含：一半导体基体，其具有设置于该基体之一表面下且由一通道区分离的一源极区及一汲极区；一隧道介电结构，其系设置于该通道区上，该隧道介电结构包含具有一小电洞穿隧阻障高度之至少一层；一电荷储存层，其系设置于该隧道介电结构上；一绝缘层，其系设置于该电荷储存层上；及一闸极电极，其系设置于该绝缘层上。