| 摘要 |
提供相对介电常数高、且使用于积层陶瓷电容器(1)时，即使将介电陶瓷层(3)薄层化，亦有高绝缘性与优异可靠性的介电陶瓷。本发明之介电陶瓷，系具有以通式：100(Ba1–w–x–mCawSrxGdm)k(Ti1–y–z–nZryHfzMgn)O3＋a＋pMnO2＋qSiO2＋rCuO表示之组成、用以构成积层陶瓷电容器1的介电陶瓷层3。其中，0.995≦k≦1.010、0≦w≦0.04、0≦x≦0.04、0≦y≦0.10、0≦z≦0.05、0.015≦m≦0.035、0.015≦n≦0.035、0.01≦p≦1.0、0.5≦q≦2.5及0.01≦r≦5.0；a系相对于3使主成分为电中性之偏差值。 |
