发明名称 在碳化矽中形成通道之方法及所形成之设备与电路
摘要 本发明揭示一种在一碳化矽基板上制造一积体电路之方法,其消除了可另外导致不当电感之引线接合(wirebonding)。该方法包括在一碳化矽基板之一表面上之磊晶层中制造一半导体设备,且在该磊晶层之最上层表面上具有用于该设备之至少一金属触点。接着研磨及抛光该基板之相反表面,直至其大体上透明。该方法接着包括:遮罩该碳化矽基板之抛光表面,以界定一用于至少一通道之与该磊晶层之最上层表面上之设备金属触点相反的预定位置;及逐步地蚀刻所要之通道。第一蚀刻步骤在所要之遮罩位置处蚀刻穿过该碳化矽基板,直至该蚀刻到达该磊晶层。第二蚀刻步骤蚀刻穿过该磊晶层而至该等设备触点。最终,金属化该通道会提供一自该基板之第一表面至该金属触点及至该基板之第二表面上之设备的电路径。
申请公布号 TW200636985 申请公布日期 2006.10.16
申请号 TW095106356 申请日期 2006.02.24
申请人 克立公司 发明人 梭坦 林;史考特 汤玛斯 雪帕;贺蒙(NMN) 哈葛奈
分类号 H01L29/24;H01L29/778;H01L21/04;H01L21/335 主分类号 H01L29/24
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国