硬化装置

摘要

为以均一的硬化条件来实施硬化处理，又即使在硬化时会自接着材料产生气化气体的情形，仍能防止其污染半导体晶粒。具备将每1个导线架(1)个别收容的复数室(2)，并将加热气体分别供给至该等复数室(2)内，因此不拘室(2)之位置，都能以一定的硬化条件进行处理。也能适用于接着材料像热固性树脂般会产生气化气体之情况，就算在这种情况下，半导体晶粒仍不会被收容于其他室(2)内之导线架(1)的接着材料所产生之气化气体所污染。

主权项

1.一种硬化装置,其特征在于,系用来使晶粒接合后之接着材料硬化,其具备将每1个导线架个别收容的复数室,并使该等复数室内具有相同的硬化条件。2.如申请专利范围第1项之硬化装置,其中,该等复数室系配置成沿上下方向排列。3.如申请专利范围第2项之硬化装置,其中,该复数室系互相固定成一体化,且具备使该等复数室升降之升降机构。4.如申请专利范围第2项或第3项之硬化装置,其中,在该室之相对两端部分别设置开口部,自一端开口部收纳导线架,而自另一端开口部取出导线架。5.如申请专利范围第1~3项中任一项之硬化装置,系具备:自该等复数室中之任一个取出导线架之取出机构,以及自该等复数室中选择应进行取出之室之控制处理部;该控制处理部,系依照该等复数室收容导线架之顺序,来选择应进行取出之室。6.如申请专利范围第4项之硬化装置,系具备:自该等复数室中之任一个取出导线架之取出机构,以及自该等复数室中选择应进行取出之室之控制处理部;该控制处理部,系依照该等复数室收容导线架之顺序,来选择应进行取出之室。图式简单说明:第1图系表示本发明实施形态之硬化装置之使用状态的前视图。第2图系表示本发明硬化装置之重要部位的立体图。第3图系表示本发明硬化装置之重要部位的后视图。第4图系表示室纵截面之前视图。第5图系表示本发明改良前之硬化装置之俯视图。