| 主权项 |
1.一种抛光或平面化基材之方法,其包含以含氧化 矽磨耗剂及波体载剂之组合物磨耗包含钨之基材 之至少一部份表面,其中组合物之pH为4至6,且氧化 矽磨耗剂之总表面羟基密度不高于每nm2中3个羟基 。 2.根据申请专利范围第1项之方法,其中氧化矽磨耗 剂系烟雾氧化矽。 3.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中总表面 羟基密度不高于每nm2中2.8个羟基。 4.根据申请专利范围第3项之方法,其中总表面羟基 密度不高于每nm2中2.5个羟基。 5.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中基材进 一步包括金属氧化物。 6.根据申请专利范围第5项之方法,其中基材之金属 氧化物系选自氧化铝,氧化矽,氧化钛,氧化铈,氧化 锆,氧化锗,氧化镁及组合之组群。 7.根据申请专利范围第6项之方法,其中基材之金属 氧化物系为氧化矽。 8.根据申请专利范围第1或2项之方法,其中基材进 一步包括金属复合物。 9.根据申请专利范围第8项之方法,其中基材之金属 复合物系选自由氮化钛,氮化钨及镍-磷所组成之 群。 |
