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1.一种具有吸盘式奈米孔洞的生医植入物,系于该 植入物部份或全部表面设置有吸盘式奈米孔洞结 构,其特征在于; 该吸盘式奈米孔洞结构,为具有复数个具奈米尺寸 之管状物,而管状物的全部或部份为呈现矩阵排列 ,且各管状物为设置有可供填入生物可吸收材料或 药物之孔洞。 2.如申请专利范围第1项所述之具有吸盘式奈米孔 洞的生医植入物,其中该各孔洞大小实质上为10~100 nm。 3.如申请专利范围第1项所述之具有吸盘式奈米孔 洞的生医植入物,其中该植入物可为纯钛片。 4.一种具有吸盘式奈米孔洞的生医制造方法,其中 该制造方法将依下列步骤进行: (A)先将植入物施以阳极处理,使其表面形成氧化膜 ,且以溶剂添加于阳极处理时之溶液内; (B)再加以外加电压使植入物表面形成管状物,且管 状物为具有孔洞。 5.如申请专利范围第4项所述之具有吸盘式奈米孔 洞的生医制造方法,其中该溶剂可为氢氟酸。 6.如申请专利范围第4项所述之具有吸盘式奈米孔 洞的生医制造方法,其中该溶剂可为硫酸。 7.如申请专利范围第4项所述之具有吸盘式奈米孔 洞的生医制造方法,其中该电压为于50(V)以内。 图式简单说明: 第一图 系为习用机械加工法之示意图。 第二图 系为习用烧结法之示意图。 第三图 系为习用电浆喷涂法之示意图。 第四图 系为习用电化学孔蚀法之示意图。 第五图 系为本发明较佳实施例于制造时之示意图 (一)。 第五A图 系为本发明较佳实施例于制造时之示意 图(二)。 第五B图 系为本发明较佳实施例于制造时之示意 图(三)。 第五C图 系为本发明较佳实施例于制造时之示意 图(四)。 第五D图 系为本发明较佳实施例于制造时之示意 图(五)。 第六图 系为本发明较佳实施例于填充药物后之示 意图。 第七图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加电 压5(V)时之状态图。 第八A图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压10(V)时之状态图。 第八B图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压10(V)时之状态图。 第九A图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压12(V)时之状态图。 第九B图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压12(V)时之状态图。 第十图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加电 压13(V)时之状态图。 第十一图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压15(V)时之状态图。 第十二图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压16(V)时之状态图。 第十三A图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压18(V)时之状态图。 第十三B图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压18(V)时之状态图。 第十四图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压20(V)时之状态图。 第十五A图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压30(V)时之状态图。 第十五B图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压30(V)时之状态图。 第十六A图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压36(V)时之状态图。 第十六B图 系为本发明又一较佳实施例于施以外 加电压36(V)时之状态图。 第十七图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压40(V)时之状态图。 第十八图 系为本发明又一较佳实施例于施以外加 电压50(V)时之状态图。 |
