发明名称 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
摘要 本发明涉及一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法,首先将单晶硅片浸泡在王水中,经加热、自然冷却处理后取出,用去离子水反复冲洗后干燥,再浸入配制好的氨基硅烷溶液中,在基片表面组装氨基硅烷薄膜,然后再置入含有三氯氧化磷和2,3,5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中,在薄膜表面组装上磷酸基团,最后将表面附有磷酸基硅烷薄膜的基片置入由乙醇、稀土化合物,乙二胺四乙酸,氯化铵,尿素及浓盐酸配制的稀土自组装溶液中,获得磷酸基硅烷-稀土自组装纳米薄膜。本发明工艺简单,成本低,对环境无污染,制得的稀土纳米薄膜分布均匀,成膜致密,且具有十分明显的减摩作用,具有良好的抗磨损和抗粘着性能。
申请公布号 CN1843638A 申请公布日期 2006.10.11
申请号 CN200610024980.4 申请日期 2006.03.23
申请人 上海交通大学 发明人 程先华;顾勤林;白涛;蒋喆
分类号 B05D5/08(2006.01);C30B33/00(2006.01);B81C5/00(2006.01) 主分类号 B05D5/08(2006.01)
代理机构 上海交达专利事务所 代理人 毛翠莹
主权项 1、一种单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法,其特征在于首先将单晶硅片浸泡在王水中,使用电炉加热王水,在120℃下加热5~6个小时,在室温中自然冷却7~8小时,将单晶硅片取出,用去离子水反复冲洗,放入干燥皿中干燥;将处理后的单晶硅片浸入配制好的氨基硅烷溶液中,静置12小时,取出后分别用无水甲醇、去离子水冲洗,然后用氮气吹干后置于含有三氯氧化磷和2,3,5-三甲基吡啶的氰化甲烷溶液中反应20分钟,取出后用去离子水冲洗,得到表面组装上了磷酸基团的薄膜基片;再将表面附有磷酸基团的薄膜基片置入配制好的稀土自组装溶液中,在80℃下进行组装12小时,即获得磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜;其中,所述氨基硅烷溶液中氨基硅烷的体积百分比为0.5~2%,溶剂为无水甲醇;所述氰化甲烷溶液的组分体积百分比为:三氯氧化磷15~25%,2,3,5-三甲基吡啶15~25%,氰化甲烷50~70%;所述稀土自组装溶液的组分重量百分比为:乙醇55~80%,稀土化合物3.5~7%,乙二胺四乙酸1~4%,氯化铵2~5%,尿素10~25%,37%的浓盐酸0.5~1.5%。
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