恢复电介质膜及电介质材料中疏水性的方法

摘要

二氧化硅电介质膜，不管是纳米孔泡沫二氧化硅电介质还是无孔二氧化硅电介质都易于受到制造方法和能减少或除去电介质表面疏水性的试剂的损伤。本发明提供了使这些基材上受损二氧化硅电介质膜具有疏水性能的方法。本发明还提供了使新的或受损的二氧化硅电介质膜具有疏水性的等离子体方法。还提供了通过本发明工艺制备的半导体设备。

主权项

1.一种使基材上损伤的二氧化硅电介质膜具有疏水性的方法，其中所述电介质膜已经以损坏或除去膜先前存在的疏水性的方式，与至少一种蚀刻剂或灰化剂接触过，该方法包括：(a)将损伤的二氧化硅电介质膜与表面改性组合物接触，其浓度和接触时间能有效地使二氧化硅电介质膜疏水；和(b)除去未反应的表面改性组合物、反应产物及它们的混合物；其中表面改性组合物包括至少一种从损伤的二氧化硅电介质膜中除去硅烷醇部分的表面改性剂。