发明名称 |
氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件 |
摘要 |
本发明提供一种氮化硅质烧结体,具有氮化硅的结晶和晶界层,所述晶界层包含第1金属硅化物(由Fe、Cr、Mn以及Cu中至少一个的金属构成的金属硅化物)、第2金属硅化物(由W、Mo中至少一个的第2金属元素构成的金属硅化物)、第3金属硅化物(由含有第1金属元素和第2金属元素的多个金属成分构成的金属硅化物)中至少两种,且具有第1~第3金属硅化物中至少两个相互相接的邻接相。 |
申请公布号 |
CN1842507A |
申请公布日期 |
2006.10.04 |
申请号 |
CN200480024471.0 |
申请日期 |
2004.08.25 |
申请人 |
京瓷株式会社 |
发明人 |
大川善裕;织田武广 |
分类号 |
C04B35/591(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/591(2006.01) |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
朱丹 |
主权项 |
1.一种氮化硅质烧结体,其具有氮化硅的结晶,和含有以下第1~第3金属硅化物中至少2个的晶界层,其中,所述晶界层具有第1~第3金属硅化物中至少2个相互相接的邻接相,第1金属硅化物:由从Fe、Cr、Mn以及Cu中选择的至少一个的第1金属元素构成的金属硅化物,第2金属硅化物:由W、Mo中至少一个的第2金属元素构成的金属硅化物,第3金属硅化物:由含有第1金属元素和第2金属元素的多个金属成分构成的金属硅化物。 |
地址 |
日本京都府 |