发明名称 氮化硅质烧结体及其制造方法,和使用其的耐熔融金属用构件、耐磨损用构件
摘要 本发明提供一种氮化硅质烧结体,具有氮化硅的结晶和晶界层,所述晶界层包含第1金属硅化物(由Fe、Cr、Mn以及Cu中至少一个的金属构成的金属硅化物)、第2金属硅化物(由W、Mo中至少一个的第2金属元素构成的金属硅化物)、第3金属硅化物(由含有第1金属元素和第2金属元素的多个金属成分构成的金属硅化物)中至少两种,且具有第1~第3金属硅化物中至少两个相互相接的邻接相。
申请公布号 CN1842507A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200480024471.0 申请日期 2004.08.25
申请人 京瓷株式会社 发明人 大川善裕;织田武广
分类号 C04B35/591(2006.01) 主分类号 C04B35/591(2006.01)
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 代理人 朱丹
主权项 1.一种氮化硅质烧结体,其具有氮化硅的结晶,和含有以下第1~第3金属硅化物中至少2个的晶界层,其中,所述晶界层具有第1~第3金属硅化物中至少2个相互相接的邻接相,第1金属硅化物:由从Fe、Cr、Mn以及Cu中选择的至少一个的第1金属元素构成的金属硅化物,第2金属硅化物:由W、Mo中至少一个的第2金属元素构成的金属硅化物,第3金属硅化物:由含有第1金属元素和第2金属元素的多个金属成分构成的金属硅化物。
地址 日本京都府