发明名称 具有多个层叠的存储芯片的半导体存储器件
摘要 一种半导体存储器使用基础基片(101),所述基础基片(101)具有命令/地址外部终端组(CA)、数据输入/输出外部终端组(DQ)、以及单个芯片选择外部终端(CS),并且该半导体存储器还包括安装在基础基片(101)上的多个存储芯片(110到113),每个所述存储芯片都能够单独地执行读写操作。终端(CA、DQ以及CS)连接到接口芯片(120)。接口芯片(120)具有芯片选择信号发生电路,其在经由终端(CA)馈送的地址信号的基础上以及经由终端(CS)馈送的芯片选择信号的基础上,能够单独地激活多个存储芯片(110到113)。
申请公布号 CN1841551A 申请公布日期 2006.10.04
申请号 CN200610071011.4 申请日期 2006.03.30
申请人 尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所 发明人 关口知纪;大坂英树;井户立身;永岛靖;片桐光昭;安生一郎
分类号 G11C5/00(2006.01);G11C5/06(2006.01) 主分类号 G11C5/00(2006.01)
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人 杨林森;谷惠敏
主权项 1.一种半导体存储器件,包括:基础基片,其具有被供应以命令信号和地址信号的命令/地址外部终端组、用于输入和输出数据信号的数据输入/输出外部终端组、以及单个芯片选择外部终端;和多个存储芯片,其层叠在所述基础基片上,并且每个都能够单独地执行读写操作,其中组成所述命令/地址外部终端组的多个终端、组成所述数据输入/输出外部终端组的多个终端、以及所述单个芯片选择外部终端连接到具有接口功能的单个芯片;并且具有接口功能的所述单个芯片进一步至少具有芯片选择信号发生电路,其基于经由所述命令/地址外部终端组供应的所述地址信号,以及基于经由所述芯片选择外部终端供应的所述芯片选择信号,能够单独地激活所述多个存储芯片。
地址 日本东京