发明名称 | 导电插塞及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明提供一种导电插塞及其制造方法。此方法主要步骤包括:依序形成第一介电层、一抗反射层、一牺牲层于一基底上。接着,定义一介层窗穿过上述牺牲层、上述抗反射层及上述第一介电层;并于上述牺牲层上 积一导电层且填入上述介层窗内。然后,去除介层窗以外之导电层,以形成导电插塞,且凹蚀至少部分之上述牺牲层,使上述导电插塞突出其周围之表面。最后, 积一第二介电层于上述基底上且覆盖上述导电插塞;以及形成一导线穿过上述第二介电层与上述导电插塞接触。其中,上述导电插塞突出之部分包括一上表面与一侧壁,且上述导线与部分之上述上表面及上述侧壁均形成接触。因此,不但解决了断路的问题,同时也使得导电插塞之间的接触面积增加,而接触阻抗得以降低。 | ||
申请公布号 | TW200635032 | 申请公布日期 | 2006.10.01 |
申请号 | TW094108023 | 申请日期 | 2005.03.16 |
申请人 | 南亚科技股份有限公司 | 发明人 | 黄志涛;陈逸男;吴常明 |
分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
代理机构 | 代理人 | 洪澄文;颜锦顺 | |
主权项 | |||
地址 | 桃园县龟山乡华亚科技园区复兴三路669号 |