发明名称 低介电系数材质层的制造方法
摘要 一种低介电系数材质层的制造方法,适用于一之上。系将前驱物气体导入一 积制程反应室中以进介电系数材质的 积。待低介电系数材质层完成 后,保留至少一适当前驱物气体之气体源,以此前驱体所形成之电浆对低介电系数材质层进行后处理。
申请公布号 TW200634901 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW094120860 申请日期 2005.06.22
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 柯忠祁;张守一;包天一;章勋明
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 蔡坤财
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号