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发明名称
低介电系数材质层的制造方法
摘要
一种低介电系数材质层的制造方法,适用于一之上。系将前驱物气体导入一 积制程反应室中以进介电系数材质的 积。待低介电系数材质层完成 后,保留至少一适当前驱物气体之气体源,以此前驱体所形成之电浆对低介电系数材质层进行后处理。
申请公布号
TW200634901
申请公布日期
2006.10.01
申请号
TW094120860
申请日期
2005.06.22
申请人
台湾积体电路制造股份有限公司
发明人
柯忠祁;张守一;包天一;章勋明
分类号
H01L21/02
主分类号
H01L21/02
代理机构
代理人
蔡坤财
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号
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