使用阶段式浅沟渠隔离外形在记忆体装置中形成电晶体之方法

摘要

本发明提供一种形成一记忆体装置之方法，该方法包括：在一半导体基板上形成第一隔离结构及第二隔离结构，该第一隔离结构与该第二隔离结构在其间界定一活性区域；及蚀刻该活性区域内所提供之半导体基板之一部分以界定一阶段式外形，从而使得该活性区域包括一第一垂直部分及一上主要表面，该第一垂直部分在该上主要表面上延伸。