发明名称 内电压产生电路
摘要 本案提供一种内电压产生电路,用以在一低电压状况下稳定地产生一半导体记忆体装置的一核心电压。该内电压产生电路包括一核心电压驱动单元及一低电压模式驱动单元;该核心电压驱动单元系在一电力被施加之后产生一核心电压,该低电压模式驱动单元系藉由侦测一源极电压之一准位而在该源极电压之该准位低于该核心电压之一目标准位时产生该核心电压。
申请公布号 TW200634833 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW094146961 申请日期 2005.12.28
申请人 海力士半导体股份有限公司 发明人 权寄昌
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人 何金涂;林荣琳
主权项
地址 韩国