发明名称 半导体元件及金属-绝缘体-金属(MIM)电容器
摘要 一种MIM电容器包含第一与第二导体模,其包埋于一第一介层绝缘膜中,以一互相相对的关系,于该第一绝缘膜中连续延伸,且形成一蜂巢形状电容器模之一部份;以及第三与第四导体模,其形成于一第二介层绝缘膜中,该第二介层绝缘膜系经一介层绝缘膜而与该第一介层绝缘膜分隔,以使得该第三与第四导体模系以一互相相对的关系,于该第二介层绝缘膜中连续延伸,以作为蜂巢形状电容器模之一部份,其中形成有一第五导体模,其系以与该第一与第三导体模相符之方式,于该介层绝缘膜中连续延伸,以连续连接该第一与第三导体模,且其中形成有一第六导体模,其系以与该第二与第四导体模相符之方式,于该介层绝缘膜中连续延伸,以连续连接该第二与第四导体模。
申请公布号 TW200634985 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW094120949 申请日期 2005.06.23
申请人 富士通股份有限公司 发明人 饭冈修;福冈郁人
分类号 H01L21/822 主分类号 H01L21/822
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 日本