| 主权项 |
1.一种形成浅沟渠隔离结构的方法,包括:提供一基底;于该基底上形成图案化之一罩幕层;利用该罩幕层为蚀刻罩幕图案化该基底,以在该基底中形成一沟渠;进行一氮化处理步骤,以在该沟渠表面形成一氮化矽衬层;以及于该沟渠内填入一绝缘层。2.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟渠隔离结构的方法,其中该氮化处理步骤包括一电浆处理步骤。3.如申请专利范围第2项所述之形成浅沟渠隔离结构的方法,其中该电浆处理步骤包括一氮气电浆处理步骤。4.如申请专利范围第1项所述之形成浅沟渠隔离结构的方法,其中在提供该基底的步骤之后,更包括一衬氧化层形成步骤,且该氮化处理步骤系与该衬氧化层形成步骤整合。5.如申请专利范围第4项所述之形成浅沟渠隔离结构的方法,其中该衬氧化层形成步骤包括一热氧化制程,且该氮化处理步骤与该衬氧化层形成步骤整合之方式系在该热氧化制程中加入氮气。6.一种浅沟渠隔离结构,包括:一基底,该基底上有一沟渠;一氮化矽衬层,配置于该沟渠之表面上,该氮化矽衬层之厚度系介于50至60埃之间;以及一绝缘层,配置于该沟渠中,且填满该沟渠,该绝缘层与该沟渠之问系以该氮化矽衬层相隔。7.如申请专利范围第6项所述之浅沟渠隔离结构,更包括一衬氧化层,配置于该沟渠表面于该氮化矽衬层之间。图式简单说明:第1图是依照本发明之一较佳实施例的一种浅沟渠隔离结构制程之流程图。第2A图至第2E图是第1图之浅沟渠隔离结构制造流程的剖面示意图。 |
