| 摘要 |
本发明系一种可形成使用浸液曝光之高解像性光阻图案，其系在浸液曝光制程中，同时防止使用以水为主的各种浸液曝光用液体之浸液曝光中的光阻膜桥联等所代表的变质、及浸液曝光用液体本身的变质，且不会引起处理步骤数目的增加，再者能提升光阻膜的拉伸放置耐性。使用下述通式(1)所表示之丙烯酸系共聚物。094146528-p01.bmp(式中，R系表示氢原子或甲基，R’系表示氢原子、甲基、或碳数1至4的羟烷基，R^1系碳数1至15的直链状、分枝状或环状的烷基，该烷基之氢原子的一部份或全部可以氟原子来取代，R^2表示脂环族烃基、及R^3表示链烃基，1、m、n及o系表示各构成单位的含有莫耳％，各别为2～60莫耳％)。094146528-p01.bmp |
