发明名称 COF基板用层合体及其制造方法、以及使用COF基板用层合体形成之COF薄膜承载带
摘要 本发明提供一种,可透过绝缘层辨识驱动IC晶片之配线,同时导体与绝缘层之间的黏着力高、耐电子移动性优异,例如可施行30μm间距以下之微细加工的层合体,及其制造方法。其系在由导电性金属箔所成的导体的一方之面上,形成由绝缘性树脂所成之绝缘层之COF基板用层合体;其导体之厚度为1~8μm,导体与绝缘层连接之面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下,且导体之不与绝缘层相接之面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下之COF基板用层合体。又,其系在具有至少10μm以上之厚度,且一方之面的表面粗糙度Rz为1.0μm以下之导电性金属箔的该面形成绝缘层,使不与此绝缘层连接的导电性金属箔之面施行化学研磨,使此导电性金属箔之厚度为1~8μm,同时使表面粗糙度Rz为1.0μm以下形成导体的COF基板用层合体之制造方法。
申请公布号 TW200634903 申请公布日期 2006.10.01
申请号 TW094145585 申请日期 2005.12.21
申请人 新日铁化学股份有限公司 发明人 岸田克也;田彰;德田裕一;财部妙子
分类号 H01L21/02;H05K1/03 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本