高密度FINFET集成方案

摘要

本发明提供了一种制造鳍片型场效应晶体管(FinFET)的方法，所述方法始于构图具有两个较长鳍片(21)和两个较短部分(22)的半导体材料(16)的矩形环。较长鳍片(21)与较短部分(22)垂直。工艺继续在两个较长鳍片(21)的中心部分上构图矩形栅极导体(20)，其中栅极导体(20)垂直于两个较长鳍片(21)。接着，本发明掺杂半导体材料(11)未被栅极导体(20)覆盖的部分，以在鳍片(21)的延伸超过栅极(20)的部分中形成源极和漏极区。接着，本发明沿栅极导体(20)形成绝缘侧壁(31)。然后，本发明用导电接触材料(30)覆盖栅极导体(20)和半导体材料(11)，并在两个较长鳍片(21)的第一鳍片(42)的源极和漏极区之上的一部分导电接触材料(30)上形成接触掩模。本发明随之选择性蚀刻导电接触材料(30)和半导体材料(11)未被接触掩模保护的区域。这在第一鳍片(42)的源极和漏极区上留下导电接触材料(30)，并除去两个较长鳍片(21)的第二鳍片(41)的源极和漏极区。此工艺形成了独特的FinFET，它具有包括中心沟道区(55)和邻近沟道区(55)的源极和漏极区(56)的第一鳍片(42)，与第一鳍片(42)交叉并覆盖沟道区(55)的栅极(20)，以及只具有沟道区的第二鳍片(41)。第二鳍片平行于第一鳍片(42)，并被栅极覆盖。

主权项

1.一种鳍片型场效应晶体管(FinFET)，包括：第一鳍片，具有中心沟道区和邻近所述沟道区的源极和漏极区；栅极结构，与所述第一鳍片交叉并覆盖所述沟道区；以及第二鳍片，包括沟道区，所述第二鳍片平行于所述第一鳍片并被所述栅极结构覆盖。