| 主权项 |
1、一种高电子迁移率晶体管的纳米T型栅的制作方法，其特征在于，包括其步骤如下：步骤1、在砷化镓金属半导体场效应晶体管或砷化镓赝配高电子迁移率晶体管或磷化铟赝配高电子迁移率晶体管基片上光刻出有源区，并通过离子注入或湿法腐蚀的方法来形成高电子迁移率晶体管源区、漏区和高电子迁移率晶体管所需的区域，即台面，实现器件间的隔离；步骤2、在砷化镓金属半导体场效应晶体管或砷化镓赝配高电子迁移率晶体管或磷化铟赝配高电子迁移率晶体管台面上进行常规的光学光刻，形成源漏的光刻胶图形，形成源漏金属，并在氨气气氛下放置合金，形成器件的源漏；步骤3、淀积绝缘层，供源区和漏区之间的栅的长度即栅长压缩使用；步骤4、光刻栅图形，形成初始的栅长图形；步骤5、各向异性刻蚀绝缘层，转移栅图形；步骤6、各向同性刻蚀绝缘层，压缩栅长；步骤7、涂底层光刻胶；步骤8、减薄底层光刻胶，供阳栅图形转移为阴栅图形使用；步骤9、常规光刻形成宽栅窗口，套刻在栅槽上，形成栅图形顶层；步骤10、去除绝缘层图形，露出栅图形底层；步骤11、腐蚀窗口中栅槽下面的高参杂浓度区，去除砷化镓金属半导体场效应晶体管或砷化镓赝配高电子迁移率晶体管或磷化铟赝配高电子迁移率晶体管基片的帽层；步骤12、蒸发、剥离栅金属，形成砷化镓金属半导体场效应晶体管或砷化镓赝配高电子迁移率晶体管或磷化铟赝配高电子迁移率晶体管晶片栅；步骤13、钝化并开连线窗口，完成器件制作。 |
