| 主权项 |
1.一种制造奈米线的方法,包括以一液压使一熔融材料进入一模板之多数个奈米通道,再凝固该熔融材料,以形成多数个奈米线,其中该液压在0.1吨以上,且该些奈米通道之孔径的范围为1至500奈米。2.一种制造奈米线的方法,包括:提供一真空腔体,于该真空腔体内具有一模板,其中该模板具有多数个奈米通道,且该些奈米通道之孔径的范围为1至500奈米:将一熔融材料放在该模板上方;以一液压设备施力于该熔融材料,使该熔融材料进入该模板的该些奈米通道中,其中该液压设备所施加之液压在0.1吨以上;以及凝固该熔融材料,以形成多数个奈米线。3.如申请专利范围第1项或第2项所述之制造奈米线的方法,其中该熔融材料包括金属、合金、高分子、陶瓷或复合材料。4.如申请专利范围第1项或第2项所述之制造奈米线的方法,其中该些奈米线之直径的范围为1至500奈米。5.如申请专利范围第1项或第2项所述之制造奈米线的方法,其中该模板之厚度的范围为0.1至200微米。6.如申请专利范围第5项所述之制造奈米线的方法,其中该些奈米线之长度的范围为0.1至200微米。7.如申请专利范围第2项所述之制造奈米线的方法,其中将该熔融材料放在该模板上方之步骤前包括加热一原料,以使该原料成为该熔融材料。8.如申请专利范围第2项所述之制造奈米线的方法,其中将该熔融材料放在该模板上方之步骤包括:将一原料放在该模板上方;以及在该真空腔体内加热该原料,以使该原料成为该熔融材料。9.如申请专利范围第2项所述之制造奈米线的方法,其中以该液压设备施力于该熔融材料前,更包括将该真空腔体内部之真空度控制在范围10-1至10-10托。10.如申请专利范围第9项所述之制造奈米线的方法,其中将该真空腔体内部之真空度控制在范围10-1至10-10托的步骤前,更包括去除该真空腔体内之氧气。11.如申请专利范围第10项所述之制造奈米线的方法,其中去除该真空腔体内之氧气之方法包括于该真空腔体内通入氩气。12.一种制造奈米线的仪器,适于制作出多数个奈米线,包括:一真空腔体;一液压设备,位于该真空腔体之上端,且该液压设备所施加之液压在0.1吨以上;一模板,位于该真空腔体内之下端,该模板具有多数个奈米通道,且该些奈米通道之孔径的范围为1至500奈米;以及一凝固系统,与该真空腔体相连。13.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该模板之材料包括铝阳极处理氧化膜、蚀刻多孔矽或多孔碳材。14.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该模板包括:一铝板;以及一阳极处理氧化膜,位于该铝板上。15.如申请专利范围第14项所述之制造奈米线的仪器,其中该些奈米线包括阵列式奈米线。16.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该些奈米线之直径的范围为1至500奈米。17.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该模板之厚度的范围为0.1至200微米。18.如申请专利范围第17项所述之制造奈米线的仪器,其中该些奈米线之长度的范围为0.1至200微米。19.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该真空腔体之材料包括金属、陶瓷、高分子及复合材料中至少择一使用之。20.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,更包括一加热器,位于该真空腔体之下端,用以加热该模板。21.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,更包括一真空帮浦,与该真空腔体相连,用以抽去该真空腔体内的气体。22.如申请专利范围第21项所述之制造奈米线的仪器,其中该真空帮浦包括机械帮浦、分子式涡轮帮浦或扩散帮浦.23.如申请专利范围第12项所述之制造奈米线的仪器,其中该液压设备包括:一冲头,位于该真空腔体之上端;以及一油压机,与该冲头相连,用以带动该冲头下压至该模板上。图式简单说明:图1为外加液压与奈米通道管径之关系曲线图。图2是依照本发明之一较佳实施例之一种制造奈米线的步骤流程图。图3绘示为依照本发明之另一实施例之一种制造奈米线的仪器的结构示意图。 |
