| 主权项 |
1.一种半导体发光元件,其包括:一发光积层结构,其包括一由n型氮化物半导体制得的第一层及一由p型氮化物半导体制得且配置在该第一层上的第二层;其中在该第一与第二层之间限定出一发光区域;及在一第一区域中移除该第二层,以曝露出该第一层,其中该第一区域为该第一层的部分表面;一p边电极,其配置在该第二层的表面上且电连接至该第二层;一覆盖该p边电极的绝缘薄膜;一n边电极,其在该第一区域中电连接至该第一层;及一反射膜,其配置在该绝缘薄膜上、延伸至该n边电极、电连接至该n边电极及由含银合金或银制得。2.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该p边电极可穿透一具有该发光区域之发光波长的光。3.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该p边电极由一选自于由Pt、Rh及Pd所组成之群的金属制得,且厚度为1奈米至15奈米。4.一种半导体发光元件,其包括:一发光积层结构,其包括一由n型氮化物半导体制得的第一层及一由p型氮化物半导体制得且配置在该第一层上的第二层;其中在该第一与第二层之间限定出一发光区域;及在一第一区域中移除该第二层,以曝露出该第一层,其中该第一区域为该第一层的部分表面;一p边电极,其配置在该第二层的表面上、电连接至该第二层及可穿透从发光区域所发射出的光;一覆盖该p边电极的绝缘薄膜;一n边电极,其电连接至在该第一区域中的第一层;及一反射膜,其配置在该绝缘薄膜上、延伸至该n边电极、电连接至该n边电极及可反射从发光区域所发射出的光。5.一种半导体发光元件,其包括:一发光积层结构,其包括一由n型氮化物半导体制得的第一层及一由p型氮化物半导体制得且配置在该第一层上的第二层;其中在该第一与第二层之间限定出一发光区域;及在一第一区域中移除该第二层,以曝露出该第一层,其中该第一区域为该第一层的部分表面;一p边电极,其配置在该第二层的表面上及电连接至该第二层;一覆盖该p边电极的绝缘薄膜;一n边电极,其电连接至在该第一区域中的第一层;及一反射膜,其配置在该绝缘薄膜上、由含银合金或银制得,且可制成既不连接至p边电极也不连接至n边电极的电漂浮状态。6.如申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中该p边电极可穿透一具有发光区域的发光波长之光。7.如申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中该p边电极由选自于由Pt、Rh及Pd所组成之群的金属制得,且厚度为1奈米至15奈米。8.一种半导体发光元件,其包括:一发光积层结构,其包括一由n型氮化物半导体制得的第一层及一由p型氮化物半导体制得且配置在该第一层上的第二层;其中在该第一与第二层之间限定出一发光区域;及在一第一区域中移除该第二层,以曝露出该第一层,其中该第一区域为该第一层的部分表面;一p边电极,其配置在该第二层的表面上、电连接至该第二层及可穿透从发光区域所发射出的光;一覆盖该p边电极的绝缘薄膜;一n边电极,其电连接至在该第一区域中的第一层;及一反射膜,其配置在该绝缘薄膜上、可制成既不连接至p边电极也不连接至n边电极的电漂浮状态且可反射从发光区域所发射出的光。9.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含一配置在该p边电极与该绝缘薄膜间之黏附层,该黏附层由至少一种选自于由Ti、Ni、W及Mo所组成之群的金属制得。10.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该绝缘薄膜可穿透一具有发光区域的发光波长之光。11.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该绝缘薄膜由至少一种选自于由下列所组成之群的材料制得:氧化矽、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氧化锆、氧化铪及绝缘的聚合材料。12.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含一覆盖该反射膜的绝缘保护膜。13.如申请专利范围第12项之半导体发光元件,其中该保护膜由至少一种选自于由下列所组成之群的材料制得:氧化矽、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氧化锆、氧化铪及绝缘的聚合材料。14.如申请专利范围第12项之半导体发光元件,更包含一配置在该反射膜与该保护膜间之黏附层,该黏附层由至少一种选自于由Ti、Ni、Al、W及Mo所组成之群的金属制得。15.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含:一用来覆晶接合的p边垫,其配置在该p边电极的部分表面区域上;及一用来覆晶接合的n边垫,其配置在该n边电极的部分表面区域上。16.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含:一用来覆晶接合的p边垫,其配置在该p边电极的部分表面区域上;及一用来覆晶接合的n边垫,其配置在叠置该第二层的反射膜之表面上。17.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中该反射膜具有一平面形状,其会散射从发光区域发射及朝向反射膜放大的光;及该半导体发光元件更包含一萤光材料成员,其当由该反射膜所散射的光射入时会产生萤光。图式简单说明:第1A图为根据第一具体实施例之半导体发光元件的截面图。第1B图为第一具体实施例之半导体发光元件的平面图。第2图为第一具体实施例之半导体发光元件的生命周期曲线图,如与比较例的元件之生命周期比较。第3图为进行反射模拟的积层结构模型之截面图。第4图为在p边欧姆电极厚度与反射率间的关系之曲线图。第5图为在绝缘薄膜厚度与反射率间的关系之曲线图。第6图为在每种p边欧姆电极厚度下,于绝缘薄膜厚度与反射系数间的关系之曲线图。第7图为在每种波长下,于绝缘薄膜厚度与反射率间的关系之曲线图。第8图为在每种波长下,于绝缘薄膜厚度与反射率间的关系之曲线图。第9图为在每种p边欧姆电极厚度下,于波长与反射率间的关系之曲线图。第10图为根据第二具体实施例之半导体发光元件的平面图。第11图为内建有第二具体实施例之半导体发光元件的灯之图式截面图。第12A图为根据第三具体实施例之半导体发光元件的截面图。第12B图为第三具体实施例之发光元件的平面图。第13图为内建有第三具体实施例之半导体发光元件的灯之图式截面图。第14A图为根据第四具体实施例之半导体发光元件的截面图。第14B图为第四具体实施例之发光元件的平面图。第15A图为使用Ag反射膜的习知发光元件之截面图。第15B及15C图为能抑制Ag迁移的习知半导体发光元件之截面图。 |
