发明名称 电路装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种电路装置之制造方法,系在绝缘膜中埋入电路之电路装置之制造方法,具备以真空贴付法,将包含元件间绝缘膜之凹部或具备贯通部之膜(160)压着于第1膜上,从而构成凹部(190)之贴付第2膜步骤;使用刮板等刮取装置(200),将膏状之该元件构成构件之材料埋入该凹部(190)内部之步骤;对该材料实施乾燥等处理,构成成为电阻器(180)之高电阻构件、电容器等之高介电系数构件(170)等之埋入构件形成步骤。
申请公布号 TWI262539 申请公布日期 2006.09.21
申请号 TW094106753 申请日期 2005.03.07
申请人 三洋电机股份有限公司 发明人 臼井良辅;井上恭典
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项 1.一种电路装置之制造方法,系在绝缘膜中埋入电路元件之电路装置之制造方法,此方法包括:形成表面具备凹部之膜之步骤;及在前述凹部内部埋入埋入材料,而在前述凹部内部形成构成前述电路元件之一部分或全部的埋入构件之步骤。2.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,形成前述埋入构件的步骤,系包括:在前述膜上涂布埋入材料之步骤;及以刮取手段在前述凹部内部埋入前述埋入材料之步骤。3.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,前述形成表面具备凹部之膜的步骤,系包含:在第1膜上压着具有开口部之第2膜而成的积层膜,以形成在表面具备凹部之膜之步骤。4.如申请专利范围第2项之电路装置之制造方法,其中,前述形成表面具备凹部之膜的步骤,系包含:在第1膜上压着具有开口部之第2膜而成的积层膜,以形成表面具备凹部之膜之步骤。5.如申请专利范围第1项之电路装置之制造方法,其中,更包含除去前述凹部外部之前述埋入材料之步骤。6.如申请专利范围第2项之电路装置之制造方法,其中,更包含除去前述凹部外部之前述埋入材料之步骤。7.如申请专利范围第3项之电路装置之制造方法,其中,更包含除去前述凹部外部之前述埋入材料之步骤。8.如申请专利范围第4项之电路装置之制造方法,其中,更包含除去前述凹部外部之前述埋入材料之步骤。9.一种电路装置之制造方法,系在绝缘膜中埋入电路元件之电路装置之制造方法,此方法包括:形成在表面具备凹部之膜之步骤;及在前述凹部内部埋入埋入材料,而在前述凹部内部形成构成前述绝缘膜之一部分或全部的埋入构件之步骤。10.一种电路装置,为在绝缘膜中埋入电路元件而成之电路装置,系具备元件间绝缘膜、以及埋入于前述元件间绝缘膜,而构成前述电路元件之一部分或全部之一个以上的构件;前述一个以上构件中的任意构件之上部之一面,与前述元件间绝缘膜之上部之一面,形成同一平面;前述一个以上构件中的任意构件之下部之一面,与前述元件间绝缘膜之下部之一面,形成同一平面而构成者。图式简单说明:第1A图至第1E图系有关本发明之实施型态之电路装置制程之前半部分的剖面示意图。第2A图至第2E图系有关本发明之实施型态之电路装置制程之后半部分的剖面示意图。第3A图至第3E图系包含衆所周知之被动元件形成步骤之电路装置制程的后半部分剖面示意图。第4图系一般的BGA概略构成示意图。
地址 日本