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Es wird ein Verfahren zum Steuern eines CMP-Prozesses mit einem Poliertuch beschrieben, wobei für die Steuerung des CMP-Prozesses die Höhenverteilung der Oberflächenstruktur des Poliertuchs berücksichtigt wird. Zudem wird in einem weiteren Verfahren das Polierverhalten des CMP-Prozesses in zurückgesetzten Oberflächen eines Substrats in Abhängigkeit von der Höhenverteilung der Oberflächenstruktur des Poliertuchs ermittelt. Weiterhin wird ein Konditioniervorgang des Poliertuchs in Abhängigkeit von der Höhenverteilung der Oberflächenstruktur des Poliertuchs gesteuert. Durch die Verwendung der Höhenverteilung der Oberflächenstruktur des Poliertuchs werden verbesserte Verfahren mit einer präziseren Steuerung des CMP-Prozesses und des Konditioniervorgangs erreicht.
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