垂直传输晶体管DRAM单元中自对准的漏极/沟道结

摘要

本发明提供了一种形成深沟槽垂直晶体管的方法。形成具有在掺杂半导体基片上的侧壁的深沟槽。半导体基片包括在其表面上的反掺杂的漏极区和在所述侧壁旁边的沟道。漏极区具有顶层面和底层面。反掺杂的源极区形成所述基片上与沟道之下的侧壁并置。栅氧化层形成在沟槽侧壁上与栅导体并置。实施使漏极区的底层面之下的栅导体凹陷的步骤，随后，在源极区之下的沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入，以及在源极区之下的沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。

主权项

1、一种在半导体基片中形成沟槽垂直晶体管的方法，所述半导体基片具有表面和沟槽，所述沟槽具有在所述半导体基片中形成的侧壁，用掺杂剂掺杂所述半导体基片，反掺杂的漏极区在所述基片的表面，沟道在所述侧壁的旁边，所述漏极区具有顶层面和底层面，反掺杂的源极区形成在所述基片中并与所述沟道之下的所述侧壁并置，栅氧化层形成在所述沟槽的所述侧壁上，栅导体形成在所述沟槽中，所述方法包括以下步骤：使所述栅导体凹陷到所述半导体基片的所述表面之下；在所述漏极区的位置之下的所述沟道内以与反掺杂剂的垂直方向成角度θ+δ地实施倾斜离子注入；以及在所述漏极区的位置之下的所述沟道内以与掺杂剂的垂直方向成角度θ地实施倾斜离子注入。