屏蔽式高压集成电路

摘要

本发明公开一种屏蔽式高压集成电路，其包括：驱动高压晶体管栅极的驱动装置；控制栅极驱动装置的控制装置；高位转换装置和低位转换装置，其中：栅极驱动装置被环形的高电压结端点结构HVJT所围绕；高位转换装置位于HVJT环形外面，低位转换装置位于HVJT环形里面。本发明还公开了一种方法和装置，用于防护高压半导体器件以及高电压结端点结构的电场分布不受上方的连接线的影响。根据本发明的所提出的方法和装置可以防止器件击穿电压的下降。同时，减小了电路面积，并且消除或最小化了传统技术所固有的寄生电阻。

主权项

1.一种高压集成电路，包括：驱动高压晶体管栅极的驱动装置；控制栅极驱动装置的控制装置；当信号由控制装置传送到栅极驱动装置时，将信号电压转高的高位转换装置；和当信号由栅极驱动装置传送到控制装置时，将信号电压转低的低位转换装置，其中：栅极驱动装置基本上是被环形的高电压结端点HVJT结构所围绕的；高位转换装置位于HVJT环形外面，而且并不是孤立的被HVJT环形的任何部分所包围，也不是孤立的被其他HVJT结构所包围；以及低位转换装置位于HVJT环形里面，而且并不是孤立的被HVJT环形的任何部分所包围，也不是孤立的被其他HVJT结构所包围。