发明名称 使用一可变磁场以控制一生长矽晶体之熔体-固体界面形状
摘要 本发明提供一种用于控制一柴式(Czochraiski)晶体生长装置中之晶体生长之方法及系统。在该晶体生长装置内施加一磁场并在自熔体拉制晶锭之情况下变化该磁场,以控制该熔体固体界面之一形状。回应于该变化磁场,该熔体固体界面之形状形成为一作为该晶锭之一长度之一函数的所要形状。
申请公布号 TW200632150 申请公布日期 2006.09.16
申请号 TW094145407 申请日期 2005.12.20
申请人 MEMC电子材料公司 发明人 卢江
分类号 C30B15/22 主分类号 C30B15/22
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国