磁阻结构、磁阻元件、与记忆单元

摘要

一种非平面之磁阻结构。上述结构之实施例包括一个以上之弯曲部分，介于第一部分与第二部分之间，其中第一部分稍微与基底呈垂直，而第二部分稍微与基底呈水平。上述结构可用于记忆元件，如:MRAM记忆元件，在不减少表面积之情况下，与先前平面磁阻结构相比，其记忆密度增加。