半导体装置与浮动栅极存储器

摘要

本发明提供一种半导体装置与浮动栅极存储器，该半导体装置与浮动栅极存储器包括一栅极结构，其包括：位于一基底上的一穿隧氧化层；位于穿隧氧化层上的一浮动栅极；位于浮动栅极上的一介电层；以及位于介电层上的一控制栅极。半导体装置更包括：沿着栅极结构相对边缘的间隙壁；一第一杂质区，其具有第一型掺杂物并从栅极结构的一第一边缘侧向分隔；以及一第二杂质区，其具有与第一型相反的一第二型掺杂物，且其大体位于一间隙壁下方并大体对准于该栅极结构的一第二边缘。本发明所述的半导体装置与浮动栅极存储器可快速编程，并且可达成多种电位的编程以表示出多种的储存状态。

主权项

1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；一栅极结构，包括：一穿隧氧化层，位于该基底上；一浮动栅极，位于该穿隧氧化层上；一介电层，位于该浮动栅极上；以及一控制栅极，位于该介电层上；一第一杂质区，其具有第一型掺杂物，并与该栅极结构的一第一边缘侧向分离；以及一第二杂质区，其具有与该第一型掺杂物相反的一第二型掺杂物，且其位于一间隙壁下方并对准于该栅极结构的一第二边缘。